英特爾在封裝設計中開發嵌入式電感全集成穩壓器 用于穩定3D堆疊系統功率
英特爾公司在封裝設計中開發了一種嵌入式電感的全集成穩壓器(Fully Integrated Voltage Regulators，FIVR)，用于控制芯片在 3D-TSV 堆疊系統中的功率。
據 eeNews 報道，電壓控制器對于 3D 封裝至關重要，后者將基于工作負載的最優流程節點實現的 chiplet 封裝在一起。這是一種靈活且經濟高效的方法，可以創建多種配置，但需要更復雜的電源控制。
英特爾在俄勒岡州和亞利桑那州的團隊使用 0.9nH-1.4nH 3D-TSV 基于封裝嵌入式電感器開發了一種 FIVR，其效率比低退出調節器(LDO)高 37.6%，在 10mA-1A 負載范圍內實現了平坦的效率，而無需相互通信。
FIVR 在基于 22nm 工藝的裸片上實現，采用三種 TSV 友好型電感結構，具有多面積與效率的權衡選項。這些很容易并行地構建模塊化設計，可以服務于廣泛而不同的 chiplet。
該設計在最近的 VLSI 2022 研討會上進行了討論。
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