建設P3晶圓廠后 三星電子還將在平澤建設P4晶圓廠

來源:TechWeb

此前有報道稱,三星電子 2020 年年中開始在韓國平澤建設的 P3 晶圓廠,將在下月開始設備的安裝,設備的進入和安裝將繼續到 7 月份,這一晶圓廠計劃在今年下半年全部建成。

而在報道 P3 晶圓廠將在下月開始設備的安裝時,外媒還表示,在建設 P3 晶圓廠后,預計三星電子還將在平澤建設 P4 晶圓廠。

不過,外媒并未給出 P4 晶圓廠何時開始建設、工廠規模、投資規模等方面的預期,三星方面目前也還未公布他們是否會在平澤再建設晶圓廠。

從外媒的報道來看,下月開始設備安裝的 P3 晶圓廠,建成后將用于生產 NAND 閃存、DRAM,也將利用 3nm 工藝為相關的客戶代工晶圓。率先開始生產 NAND 閃存,隨后是 DRAM,之后是為其他客戶代工晶圓。設備的安裝,將從 NAND 閃存生產線的設備先開始,將在 5 月份的第一個周開始安裝。

外媒在報道中也提到,三星電子在平澤的 P3 晶圓廠,占地 70 萬平方米,是 P2 晶圓廠的 1.7 倍,他們計劃未來幾年在這一工廠至少投資 30 萬億韓元,最高則是投資 50 萬億韓元,也就是至少投資 240 億美元,最高投資 400 億美元。

關鍵詞: 三星電子 NAND閃存產能 市場觀察 投資規模

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