全球報道:韓媒:SK Siltron成功開發EUV DRAM晶圓,將供應給三星、SK海力士

來源:閃存市場


(資料圖片僅供參考)

據韓媒報道,有消息稱SK Siltron已開始供應新一代存儲器用晶圓給三星電子、SK海力士等,期望打破日本業者寡占局面,加速推動韓國半導體材料自產化大業。報道稱,SK Siltron已于6月完成10nm級第四代(1a)DRAM的拋光晶圓開發,預計2022年下半起開始供應三星、SK海力士等。

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目前應用最廣泛的硅晶圓,主要可分為拋光(polished)和磊晶(epitaxial)晶圓兩種。拋光晶圓是以高純度多晶硅加工制成,用于DRAM、NAND Flash等,磊晶晶圓則是將厚度幾微米(μm)的硅單晶層,蒸鍍到拋光晶片上,主要用于系統半導體。據悉SK Siltron此次開發并量產的晶圓,主要是用于最新10nm級DRAM。

三星、SK海力士已在第四代(1a)DRAM導入極紫外光(EUV)制程。EUV是新一代曝光技術,采用荷蘭ASML獨家生產的設備。由于EUV與現有的光波長,具有不同特性,因此須采用不同材料,而開發1a DRAM晶圓的難度同樣很高。

據了解,SK Siltron加入供應之前,只有日本勝高和信越化學能夠供應,2021年下半量產1a DRAM的三星、SK 海力士,先前僅使用日本生產的晶圓。

相關人士表示,1a DRAM占比不斷提高的情況下,SK Siltron研發成功與量產,無疑幫助韓國實現材料供應鏈多元化,從韓國國產化大業角度而言別具意義。SK海力士傳計劃2022年底前1a DRAM占比將提升至產量的4分之1左右。

另一方面,2021年SK Siltron的12英寸晶圓市占率約18%左右,排名業界第三,而勝高市占30%、信越化學市占25%,最近2~3年間SK Siltron正在大幅縮小落后差距。

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