首創雙層晶體管:索尼介紹全新的堆疊式CMOS圖像傳感器技術
索尼半導體解決方案公司,已經成功開發出了全球首個采用雙層晶體管像素技術的堆疊式 CMOS 圖像傳感器。據悉,傳統方案需要將光電二極管和像素晶體管置于同一基板,而索尼新技術將兩者分離放置在了不同的基板層上。得益于幾乎增強了一倍的飽和信號電平,以及動態范圍的提升 / 噪聲的下降,新方案顯著可提升成像性能。
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(來自:SONY 官網)
在像素芯片內,負責光電信號轉換的二極管、和控制信號的像素晶體管位于同一層。而在傳統堆疊式 CMOS 圖像傳感器里,光電二極管和像素晶體管被安排在了同一基板上。
在同等或更小的像素尺寸下,新技術的像素結構(位于信號處理電路的邏輯芯片之上)都能保持或改善現有特性。
此外允許廠商對光電二極管和像素晶體管這兩層架構分別優化,從而使飽和信號電平相較于傳統圖像傳感器增加了大約一倍、動態范圍也有進一步的提升。
增加的飽和信號電平,在實現寬動態范圍的高品質圖像方面發揮著重要的作用。
傳輸門(TRG)之外的像素晶體管 —— 包括復位(RST)、選擇(SEL)和放大器(AMP)晶體管 —— 則被安排在了無光電的二極管層。
得益于放大器晶體管的尺寸增加,索尼還成功地大幅降低了夜間和其它較暗場景下容易產生的噪聲,同時防止在敏感對比強烈的情況下過曝或曝光不足。
最后,索尼將把更高成像質量的雙層晶體管像素技術推向諸多領域,比如智能手機上的移動影像傳感器。
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