ASML介紹新一代高NA EUV光刻機：芯片縮小1.7倍、密度增加2.9倍

            

                
                來源：快科技
            

            
按照業(yè)內預判，2025年前后半導體在微縮層面將進入埃米尺度（?，angstrom，1埃 = 0.1納米），其中2025對應A14（14?=1.4納米）。除了新晶體管結構、2D材料，還有很關鍵的一環(huán)就是High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機。根據ASML（阿斯麥）透露的最新信息，第一臺原型試做機2023年開放，預計由imec（比利時微電子研究中心）裝機，2025年后量產，第一臺預計交付Intel。
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Gartner分析師Alan Priestley稱，0.55NA下一代EUV光刻機單價將翻番到3億美元。
那么這么貴的機器，到底能實現(xiàn)什么呢？
ASML發(fā)言人向媒體介紹，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機。
當然，ASML并不能獨立做出高NA EUV光刻機，還需要德國蔡司以及日本光刻膠涂布等重要廠商的支持。
ASML現(xiàn)售的0.33NA EUV光刻機擁有超10萬零件，需要40個海運集裝箱或者4架噴氣貨機才能一次性運輸完成，單價1.4億美元左右。
去年ASML僅僅賣了31臺EUV光刻機，今年數(shù)量提升到超100臺。
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