三星計劃2025年量產2nm工藝:基于MBCFET、與IBM 2nm不同
在先進半導體工藝上,臺積電目前是無可爭議的老大,Q3季度占據全然53%的晶圓代工份額,三星位列第二,但份額只有臺積電的1/3,所以三星押注了下一代工藝,包括3nm及未來的2nm工藝。根據三星的計劃,3nm工藝會放棄FinFET晶體管技術,轉向GAA環繞柵極,3nm工藝上分為兩個版本,其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產,3GAP(高性能版)則會在2023年年初批量生產。
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對比5nm,三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。
再往后就是2nm工藝,三星高管日前再次表態2nm工藝會在2025年量產。
不過具體的工藝指標還沒公布,只知道還是GAA晶體管,跟3nm一樣基于MBCFET(多橋溝道FET)技術,這是一種納米片晶體管,可以垂直堆疊,而且兼容現在的CMOS工藝,共享設備與制造方法,降低了新技術的升級成本。
三星的2nm工藝是一大進步,創新亮點不少,而且跟現在已有的2nm技術不同——此前IBM全球首發了2nm芯片,指甲蓋大小的面積就可以集成500億晶體管,相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗,預計2024年量產。
三星也參與了IBM的2nm技術,然而自己量產的2nm技術跟IBM的2nm并不一樣,后者需要新的生產方法,三星還會依賴自家研發的2nm技術。
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