三星提升QLC閃存性能:寫入可達(dá)320MB/s 重新超越機(jī)械硬盤

來源:快科技

隨著閃存的發(fā)展,如今廉價(jià)、大容量的SSD幾乎都要上QLC閃存了,這讓消費(fèi)者很不爽,因?yàn)镼LC閃存不僅可靠性差,而且性能也慢很多,沒有緩存加速的時(shí)候,性能甚至跑不過HDD機(jī)械硬盤。QLC閃存性能差是先天性的,如果用光了緩存容量空間,現(xiàn)在的QLC閃存真實(shí)寫入速度也就100MB/s,三星的870 QVO硬盤之前有人實(shí)測(cè)過,拷貝文件的速度也就160MB/s,這個(gè)速度甚至還不如一些HDD機(jī)械盤快。

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三星也注意到這個(gè)問題了,未來也會(huì)重點(diǎn)關(guān)注QLC閃存的性能,目前他們使用的QLC閃存主要還是96層堆棧的V5 QLC,明年會(huì)跳過V6 QLC,直接進(jìn)入176層的V6 QLC閃存時(shí)代。

根據(jù)三星所說,新一代QLC閃存性能好得多,寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍,不過這是針對(duì)V4 QLC閃存的,相比現(xiàn)在的V5 QLC大概能提升一倍,意味著寫入性能可提升到320MB/s。

不考慮緩存加速,320MB/s的原始寫入性能已經(jīng)相當(dāng)可觀了,足以讓SSD性能重新超過HDD硬盤,并且跟TLC閃存一較高下,相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計(jì)在明年上市。

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